[发明专利]单垒量子阱注入渡越时间半导体器件无效
| 申请号： | 92107567.7 | 申请日： | 1992-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN1024608C | 公开（公告）日： | 1994-05-18 |
| 发明（设计）人： | 薛舫时 | 申请（专利权）人： | 机械电子工业部南京第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L29/88 | 分类号： | H01L29/88 |
| 代理公司： | 江苏省专利服务中心 | 代理人： | 叶立剑,沈根水 |
| 地址： | 210016*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种单垒量子阱注入渡越时间半导体器件。它是对量子阱注入渡越时间半导体器件(QWITT)的器件结构进行改进，采用单垒单阱(对主能谷为单垒，对次能谷为单阱)结构，且漂移区半导体层的厚度根据载流子饱和漂移速度和振荡频率来确定。本发明特别适于在毫米波、亚毫米波频段工作。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 注入 时间 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种单垒量子阱注入渡越时间半导体器件，包括：一n+砷化镓(GaAs)衬底1，在其上是一n+砷化镓缓冲层2，再在其上是一n砷化镓漂移区层3，再在其上是一n+砷化镓掺杂尖峰层4，再在其上是量子阱结构层5，再在其上是一n+砷化镓顶层6；其特征在于：量子阱结构层5是由一层异质半导体构成单垒量子阱，n砷化镓漂移区层3的厚度等于载流子饱和漂移速度除以振荡频率。
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