[发明专利]键合在绝缘体上硅的减薄方法无效
| 申请号： | 92107693.2 | 申请日： | 1992-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN1028464C | 公开（公告）日： | 1995-05-17 |
| 发明（设计）人： | 黄庆安;张会珍;陈军宁;童勤义 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 东南大学专利事务所 | 代理人： | 楼高潮,魏学成 |
| 地址： | 210018*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 键合在绝缘体上硅的减薄方法，先将键合好的SOI硅片进行粗减薄，然后采用集成电路工艺形成欧姆接触，再加上形成耗尽层电压进行阳极腐蚀，腐蚀液为稀释氢氟酸，对于不需要腐蚀的部分，可用黑蜡或黑胶膜密封起来，腐蚀时可加磁搅拌，具有工艺简单，成本低等优点，可取得本体硅的硅膜质量，腐蚀方法对工艺线无污染。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于键合在绝缘体上硅的减薄方法，先将键合好的SOI硅片进行粗减薄，采用集成电路标准工艺形成欧姆接触，再进行阳极腐蚀，其特征在于在阳极腐蚀时在硅衬底背面的欧姆接触电极(5)与硅膜正面的圆环状欧姆接触电极(6)之间施加使硅膜正面形成耗尽层的耗尽电压VD，再在硅膜正面的圆环状欧姆接触电极(6)与采用铂(Pt)为电极的阴极(9)之间施加阳极电压VA，在该阳极电压VA的作用下通过腐蚀液进行硅的减薄。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学，未经东南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/92107693.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
