[发明专利]半导体基体材料的制作方法无效
| 申请号： | 92108981.3 | 申请日： | 1992-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN1042375C | 公开（公告）日： | 1999-03-03 |
| 发明（设计）人： | 市川武史;米原隆夫;坂口清文 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/822 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 姜华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体基体材料的制作方法，包括步骤使硅基体形成多孔性，在其上以第一种温度形成非多孔性硅单晶层，将该非多孔性硅单晶层表面贴合在表面上有绝缘物的另一基体上，用化学腐蚀方法腐蚀该贴合的基体上多孔性硅而除去多孔性硅，以高于第一温度的第二温度在通过外延生长在上述非多孔性硅单晶层上形成单晶硅层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 基体 材料 制作方法 | ||
【主权项】：
1．半导体基体材料的制作方法，特征是：该方法包括使硅基体形成多孔性的工序；在该形成了多孔性硅基体上用第一种温度形成非多孔性硅单晶层的工序；将该非多孔性硅单晶层的表面贴合在表面上有绝缘物的另一个基体上的工序；用化学腐蚀方法将该贴合后的基体上的上述多孔性硅除去的多孔性硅的腐蚀工序；以及用比上述第一种温度高的第二种温度，在上述非多孔性磋单晶层上，通过外延生长形成单晶硅层的工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于佳能株式会社，未经佳能株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/92108981.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
