[发明专利]由二氧化硅碳氮共渗制备氮化硅的方法以及无晶须的颗粒氮化硅无效
| 申请号： | 92109187.7 | 申请日： | 1992-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN1071640A | 公开（公告）日： | 1993-05-05 |
| 发明（设计）人： | R·巴舍拉尔;J·-P·迪松 | 申请（专利权）人： | 埃勒夫阿托化学有限公司 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068;C04B35/58 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 于燕生 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及氮化硅的制备方法。根据本方法，取二氧化硅与碳的第一种混合物，并在碳氮共渗反应之前掺入以碳为主要成分的基体或多孔层中。该方法可以制得有规则且可控制的形状的，无晶须存在的颗粒Si3N4。 | ||
| 搜索关键词： | 二氧化硅 碳氮共渗 制备 氮化 方法 以及 无晶须 颗粒 | ||
【主权项】：
1、由二氧化硅碳氮共渗制备氮化硅的方法，其特征在于：1.由碳和二氧化硅制成第一种反应混合物；2.将第一种反应混合物掺入到以碳为主要成分的多孔基体中。3.将2得到产品处于碳氮共渗条件下并回收Si3N4；4.除去可能剩余的碳。
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