[发明专利]氰化提金液中游离氰的离子选择电极分析法无效
| 申请号： | 92109982.7 | 申请日： | 1992-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN1086014A | 公开（公告）日： | 1994-04-27 |
| 发明（设计）人： | 张东山 | 申请（专利权）人： | 沈阳黄金学院 |
| 主分类号： | G01N27/26 | 分类号： | G01N27/26 |
| 代理公司： | 中国科学院沈阳专利事务所 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 110015 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种测定氰化提金液中游离氰浓度的离子选择电极分析法，采用Ag2S、Ag2Se或Ag2Te为敏感膜材料。在测量中应加入10-4～10-1M的Ag(CN)2-为膜电位移定剂。此外该方法中采用两根相同的银离子选择电极分别作为敏感电极和参比电极，并采用芯式短棒结构的电极。该方法操作简便，测量准确、快速，使用试剂少，且电极寿命长。适于对含游离氰浓度(以NaCN计)为0.1～6.0g/l的氰化提金液作定量分析测定时采用。 | ||
| 搜索关键词： | 氰化 提金液中 游离 离子 选择 电极 分析 | ||
【主权项】：
1、一种测定氰化提金液中游离氰浓度的离子选择电极分析法，是采用Ag2S、Ag2Se或Ag2Te作为敏感膜材料的银离子选择电极，其特征在于在测定时加入Ag(CN)-2为膜电位稳定剂，分析溶液中稳定剂的浓度为10-4～10-1M。
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