[发明专利]快速等离子处理的设备和方法无效

专利信息
申请号: 92111259.9 申请日: 1992-09-26
公开(公告)号: CN1036079C 公开(公告)日: 1997-10-08
发明(设计)人: J·T·费尔斯;H·查塔姆;J·康特里伍德;R·J·纳尔逊 申请(专利权)人: 美国BOC氧气集团有限公司
主分类号: C23C16/50 分类号: C23C16/50
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 吴增勇,程天正
地址: 美国新*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的等离子处理设备适宜用较高淀积速率使基片涂敷出具有防潮性能之薄膜。该设备包括一个易抽空的空腔,在该空腔内限定一个面向等离子体的表面的供电电极,和一个与该面向等离子体表面横向间距为Δ的护罩。在等离子处理期间,等离子体被约束在距离Δ范围内,同时基片被连续进给而通过被约束的等离子体。
搜索关键词: 快速 等离子 处理 设备 方法
【主权项】:
1.一种基片涂覆设备,其特征在于包括:易抽真空的反应室;用于在该反应室内由能在一基片上淀积粘附涂层的薄膜成形气流形成等离子体的装置,该等离子形成装置包括一个在该反应室内限定平行于轴线延伸的弧形的面对等离子体的表面的供电电极;通过将面对等离子体的表面与基本滚动接触而电气连通所述电极至基片,并在等离子淀积期间使基片的连续可变部分暴露于等离子体中的装置;及用于将等离子体限制在毗邻所述基片的连续可变部分的约束装置,该约束装置包括与面对等离子的表面同轴的接地护罩,所述磁性装置包括至少一个毗邻所述护罩的磁极对,用于产生伸入等离子体中并与面向等离子体的表面相交的磁场。
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