[发明专利]全元素离子束材料表面改性方法无效

专利信息
申请号: 92111475.3 申请日: 1992-09-28
公开(公告)号: CN1034679C 公开(公告)日: 1997-04-23
发明(设计)人: 李国卿;马滕才 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: C23C14/22 分类号: C23C14/22;C23C14/48
代理公司: 大连理工大学专利事务所 代理人: 侯明远
地址: 11602*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明涉及全元素离子束材料表面改性方法,该方法是在离子溅射源通入氩气,从靶材上溅射下的原子沉积在工件表面,同时离子注入源引出气体离子、金属、碳、硅或硼单一离子束或者同时引出气体和金属离子束注入到工件表面,制备硬质膜、合金膜和功能膜层。本方法可以完成全元素离子束增强沉积、气体离子注入、金属离子注入和复合离子注入。该方法可广泛应用于宇航、石油化工、机械工程的电子工程。
搜索关键词: 元素 离子束 材料 表面 改性 方法
【主权项】:
1.全元素离子束材料表面改性方法,是在由真空室(1)、水冷工件台(2)、工件(3)、全元素离子束注入源(4)、离子溅射源(5)、原子溅射靶(6)等组成的设备中完成的,其特征在于:将清洗的工件(3)放在真空室(1)内的可转动水冷工件台(2)上,真空抽至10-4~10-3Pa,离子溅射源(5)通入氩气,形成氩离子束,射到原子束溅射靶(6)上,从靶材上溅射下原子,沉积在工件(3)表面上;与此同时,由离子注入源(4)引出气体离子束、金属、碳、硅或硼单一离子束,或者同时引出气体和金属离子束注入到工件表面,形成各种功能膜和多层复合膜。
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