[发明专利]耐高压隔离式霍尔效应位移传感器无效
| 申请号： | 92112335.3 | 申请日： | 1992-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN1028055C | 公开（公告）日： | 1995-03-29 |
| 发明（设计）人： | 赵国军;杨华勇 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | G01D5/14 | 分类号： | G01D5/14;G01B7/02 |
| 代理公司： | 浙江大学专利代理事务所 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 3100*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种耐高压隔离式霍尔效应位移传感器，它包括有装在非导磁体密封隔离套内的导磁体滑动芯棒，隔离套上装有二块导磁体，在二块导磁体形成的间隙内，左、右分别安装磁钢和霍尔元件、放大器电路板，芯棒在封闭式的隔离套内作轴向运动，改变霍尔元件表面磁感应强度，输出信号经放大后，输出正比于位移的电压值，因此具有强的抗干扰能力、高频响、高精度，并且结构简单，使用可靠，适用于高压容器内的液面、大位移检测。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 隔离 霍尔 效应 位移 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种耐高压隔离式霍尔效应位移传感器，它包括非导磁体外壳、隔离套、导磁体活动芯棒、导磁体、磁钢和霍尔元件，本发明的特征是：在非导磁体外壳[4]内的隔离套[2]上装有两块能够成封闭磁场的导磁体[6]，在两块导磁体[6]下端形成的间隙内，左、右分别装有磁钢[5]和霍尔元件、放大器电路。
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