[发明专利]一种制备用于多层电路板的内复合层的方法无效
申请号: | 93102187.1 | 申请日: | 1993-02-25 |
公开(公告)号: | CN1026647C | 公开(公告)日: | 1994-11-16 |
发明(设计)人: | 秀和高野;吉光时夫;日比野明惠;日比野明宪;泽佳秀;土岐元幸;杨武;周德元;大中忠生 | 申请(专利权)人: | 松下电工株式会社 |
主分类号: | H05K3/38 | 分类号: | H05K3/38;H05K3/46 |
代理公司: | 上海专利事务所 | 代理人: | 吴惠中 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种用于多层电路板的内复合层,它是由其上带有形成的钢层的电绝缘衬底和覆盖在铜层上的偶合剂膜组成,其制备方法如下。即,用碱或碱和促进剂处理铜层以向其表面提供羟基。随后,用偶合剂如硅烷偶合剂将如此处理过的铜层涂覆。偶合剂通过羟基和偶合剂的反应而与受处理过的铜层发生化学结合,从而显著提高了铜层和偶合剂之间的粘合强度。另外,由于无需在铜层表面形成氧化铜层,内复合层显示出优良的抗酸性,镀覆时不产生在通孔周围经常引起的粉红色圈。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 用于 多层 电路板 复合 方法 | ||
【主权项】:
1.一种制备用于多层电路板的内复合层的方法,其特征在于所述的内复合层由其上带有形成的铜层的电绝缘衬底和覆盖于所述铜层上的偶合剂膜组成,所述的方法包括以下步骤:用碱处理在所述衬底上的所述铜层以向其提供羟基,并使所述铜层表面充满所述的羟基;在所述的铜层表面涂覆偶合剂,所述的偶合剂选自硅烷偶合剂、钛酸盐(酯)偶合剂和锆酸盐偶合剂;干燥所述的偶合剂以在所述的铜层上形成所述的膜,由此制得所述的内复合层,其中偶合剂通过羟基与偶合剂反应与所述铜层表面发生化学结合。
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