[发明专利]电子器件中的电连接结构和导体表面材料的形成方法无效
申请号: | 93104636.X | 申请日: | 1993-04-22 |
公开(公告)号: | CN1112729C | 公开(公告)日: | 2003-06-25 |
发明(设计)人: | 迈克尔·J·布雷迪;柯蒂斯·E·法雷尔;宋·K·坎;杰弗里·R·马里诺;唐纳德·J·米卡莱森;保罗·A·莫斯科维茨;尤金·J·奥沙利文;特雷塞·R·奥图尔;桑普阿西·帕鲁索塔曼;谢尔登·C·里利;乔治·F·沃克 | 申请(专利权)人: | 国际商业机器公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L21/50;H01L21/70 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 暂无信息 | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在电子器件中将含硅和锗的材料用作导体的表面。焊料可以非熔化地焊接,而且导线可以焊接在这些表面上。在集成电路芯片的封装中,这些材料可以用作引线框架的表面涂层。这些材料可以用移画印花工艺(decal)转印在导体的表面或者用非电的或电解的方法设置在导体的表面上。 | ||
搜索关键词: | 电子器件 中的 连接 结构 导体 表面 材料 形成 方法 | ||
【主权项】:
1.一种在电子器件中提供电学连接的结构,其特征在于包括:一个基片;设置在所述基片上、由导电材料构成的导体;形成在所述导体的表面上、用于形成电学连接的部位的一种不同于所述导电材料的表面材料,其中,所述表面材料包含有第一材料和第二材料的组合;所述第一材料为硅或锗或者它们的组合;以及所述第二材料为选自Cu、Ni及其组合物的一种金属。
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