[发明专利]薄膜晶体管和有源矩阵液晶显示器件无效
| 申请号： | 93105682.9 | 申请日： | 1993-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN1031373C | 公开（公告）日： | 1996-03-20 |
| 发明（设计）人： | 吉田俊彦;渥美正和;松本健 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;H01L29/78;G02F1/136 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种防止由于进入形成一沟道的半导体层的入射光引起的漏电流的薄膜晶体管，其中一绝缘层形成在源电极或漏电极中之一与半导体层之间，超出该TFT的源电极和漏电极中至少一个电极覆盖住半导体层的所有边缘一段距离，该距离大于空穴-电子复合距离。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 有源 矩阵 液晶显示 器件 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管(TFT)，包括一形成在透明绝缘衬底上的光屏蔽栅电极、形成在该栅电极上的栅绝缘层、形成在该栅绝缘层上的半导体和与所述半导体层相连以限定出一沟道区域的光屏蔽源电极和光屏蔽漏电极，其特征在于：在所述源电极和漏电极中至少一个电极与所述半导体层之间形成一绝缘层，该绝缘层超出覆盖着所述半导体层的所述源电极和漏电极中至少一个电极的所有边缘一段距离，该距离大于空穴—电子复合距离。
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