[发明专利]浪涌吸收器及其制造方法无效

专利信息
申请号: 93105683.7 申请日: 1993-05-07
公开(公告)号: CN1044653C 公开(公告)日: 1999-08-11
发明(设计)人: 户仓次朗 申请(专利权)人: 专利促进中心有限公司
主分类号: H01T1/15 分类号: H01T1/15;H01T4/00;H01J17/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 范本国
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明为使用微小的导电硅片的小型、廉价的浪涌吸收器。在本发明中,先在导电硅薄板的表面刻出纵横交错的缝隙沟,形成许多突出的正方形,在其表面形成酸化膜。对各个缝隙沟的中央部分进行切割从而切割出许多导电硅片。带有阶梯部分的上述正方形突起的高度即成为微缝隙。把该导电硅片以及与之相连的相对电极装入玻璃管内,并在减压供给惰性气体后用玻璃密封住。由于正方形突起的高度成了微缝隙,发生一次放电,因此,无放电迟缓现象。
搜索关键词: 浪涌 吸收 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种微隙型浪涌吸收器,包括一个玻璃管和二个电极,所述玻璃管中充有减压惰性气体,其特征在于:一个设在上述玻璃管中的导电芯片,所述芯片具有一个基底部分和一个以上述基底部分上突起的矩形突起部分;覆盖在上述导电芯片的矩形突起部分上的一层绝缘膜;以及第一电极连接到上述导电芯片的矩形突起部分上,第二电极连接到上述导电芯片上,从而在上述的电极之间形成一个非导电间隙。
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