[发明专利]电子电路无效
申请号: | 93106335.3 | 申请日: | 1993-05-08 |
公开(公告)号: | CN1033769C | 公开(公告)日: | 1997-01-08 |
发明(设计)人: | 张宏勇;鱼地秀贵;安达广树;小山到;山崎舜平 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;H01L21/28;H01L21/336;H01L27/12 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 肖掬昌 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明公开了一种绝缘栅型场效应晶体管。其栅极与和它电连接的布线一起由象铝那样的金属形成。通过将栅极作为阳极浸于电解液中,而使之阳极氧化,形成覆盖它的金属氧化物。由于在阳极化处理之前连接的布线上覆盖有合适的有机膜层,因而无氧化铝在其上形成,这样可以通过常规腐蚀,除去连接的布线。 | ||
搜索关键词: | 电子电路 | ||
【主权项】:
1.一种电路包括:设在衬底上的栅极,它包括选自下列物质组成的组中的一种材料:铝,钽,添加有硅,铜,钽,钪和钯的铝,它们的合金,以及它们的多层材料;设在所述衬底上的第一布线,它与所述栅极相连并包括所述材料,所述第一布线具有大于所述栅极的宽度;和设在所述衬底上的第二布线,它与所述第一布线相连并包括所述材料,所述第二布线具有大于所述第一布线的宽度。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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