[发明专利]薄膜磁头无效
| 申请号： | 93108951.4 | 申请日： | 1993-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN1083251A | 公开（公告）日： | 1994-03-02 |
| 发明（设计）人： | 彼得·G·比肖夫;华一钦·佟;约翰尼·C·H·陈 | 申请（专利权）人： | 里德-莱特公司 |
| 主分类号： | G11B5/31 | 分类号： | G11B5/31 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利代理部 | 代理人： | 范本国 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种薄膜磁头具有最好用强磁性铁镍合金形成的、带台阶结构的成型磁性薄膜。该薄膜设置于环绕线圈的绝缘层和第二磁极层P2下方之间，从而形成一个双磁轭。薄膜在台阶区域具有隅角用于磁畴牵制点，从而使P2层的磁化方向适当对准，进而改进正被记录的数据信号。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 磁头 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜磁头，包括：一个磁轭，它包括由磁性材料形成的第一和第二磁极层，所述磁轭包括磁极尖和由所述磁极尖限定的换能间隙；一个用于连接外部电路的线圈；所述磁轭由包括所述线圈的主部分和包括所述磁极尖的漏斗形部分形成；环绕所述线圈的绝缘材料，所述绝缘材料和所述线圈设置于所述磁极层之间；第一和第二成形的磁性薄膜，它们设置于所述绝缘材料和一个所述磁极层之间。
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