[发明专利]激光加工方法

摘要

一种用于恢复经受结构损伤的硅之类的淀积半导体薄膜晶性的激光退火方法，所述方法包括通过用波长为４００nm或更短和脉宽为５０nsec或更窄的脉冲式激光束照射在薄膜的表面上激活半导体的步骤，其中，所述淀积薄膜被涂敷透明薄膜，如氧化硅之类的薄膜，其厚度为３至３００nm，所采用的入射到所述涂层的激光束的能量密度为Ｅ（ＭＪ／cm＃+[2]），并满足关系式$log＃-[10]N≤－０．０２（Ｅ－３５０），$其中Ｎ是脉冲式激光束的发射数目。$＃!

主权项

1.一种用以制造半导体器件的激光加工方法，包括以下步骤：在光传输路径上形成3-300nm厚的透明薄膜，以覆盖一半导体薄膜；通过所述透明薄膜，将截面为矩形、波长为400mm或更短和脉宽为50nsec或更窄的激光脉冲光束照射到所述半导体薄膜上，该半导体薄膜含有硅，并具有被导入的磷质；和移动所述半导体薄膜，以便用所述激光脉冲扫描该半导体薄膜；其特征在于，所述每个激光脉冲的能量密度E以mJ/cm2为单位，且脉冲数N满足关系式log10N≤-0.02(E-350)，其中N至少等于1。