[发明专利]掺杂铌酸锂晶体极化方法和装置无效
| 申请号： | 93110359.2 | 申请日： | 1993-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN1026805C | 公开（公告）日： | 1994-11-30 |
| 发明（设计）人： | 孟宪林;孙友轩 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B33/04 | 分类号： | C30B33/04;C30B29/30 |
| 代理公司： | 山东大学专利事务所 | 代理人： | 孙君 |
| 地址： | 250100 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种掺杂铌酸锂晶体极化方法和装置，属于晶体材料后处理技术领域。本发明包括，1230±5℃极化温度条件，对晶体端面、陶瓷板、Pt片电极进行整平处理，并在一可移动加热炉与带有样品支架的基座扣合而成的极化装置中进行极化。所用陶瓷板是按Li2CO3∶Nb2O5∶Ta2OP5＝95∶(85±5)∶15±5摩尔比配料并烧结的掺杂LN陶瓷板。用本发明的方法和装置进行极化处理的掺杂LN晶体能实现完全单畴化，光学均匀性高达10-6～10-5cm-1。本发明的方法和装置设计合理，简便易行。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 铌酸锂 晶体 极化 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种掺杂铌酸锂晶体的极化方法，包括步骤如下：磨好端面的晶体样品置于极化陶瓷板之间，陶瓷板上下各加一铂片电极，升温至极化温度，加极化电压，再降至室温，断电，其特征在于，晶体样品两端是经整平处理的掺杂LN陶瓷板。
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