[发明专利]压淬法直接制备大块致密纳米晶合金无效

专利信息
申请号: 93111163.3 申请日: 1993-05-25
公开(公告)号: CN1095765A 公开(公告)日: 1994-11-30
发明(设计)人: 李冬剑;胡壮麒;丁炳哲;姚斌 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: C21D10/00 分类号: C21D10/00;C22F3/00
代理公司: 中国科学院沈阳专利事务所 代理人: 闵宪智
地址: 110015 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明为一种块状致密纳米晶的制备方法,可以用下述两种方式实现,其一的工艺过程依下述步骤进行在高压下将均匀合金加热,压力在5GPa~10GPa,加热至熔化;在高压下冷却,冷速1ks-1~300ks-1,至室温;卸压。其二的工艺过程依下述步骤进行在高压下将均匀合金加热,压力在5GPa~10GPa,温度在熔点下100°K的范围;在高压下冷却,冷速1ks-1~1000ks-1。本发明可以使得制取的合金致密且无界面污染。
搜索关键词: 压淬法 直接 制备 大块 致密 纳米 合金
【主权项】:
1、一种块状致密纳米晶的制备方法,其特征在于工艺过程依下述步骤进行:--在高压下将均匀合金加热,压力在5GPa~10GPa,加热至熔化;--在高压下冷却,冷速1ks-1~300ks-1,至室温;--卸压。
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