[发明专利]半导体存储装置无效
| 申请号： | 93112773.4 | 申请日： | 1993-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN1040706C | 公开（公告）日： | 1998-11-11 |
| 发明（设计）人： | 平野博茂;角辰己;森脇信行;中根让治 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/40 | 分类号： | G11C11/40;H01L27/105 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 竹民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 位线ＢＬ０、/ＢＬ０接读出放大器。第１ＭＯＳ晶体管Ｑｎ栅极、源极和漏极分别接第１字线ＷＬ０、第１强电介质电容Ｃs１的第１电极和ＢL０，Ｃsl的第2电极接第1极板CP0。第２ＭＯＳ晶体管Ｑｎ的栅极、源极和漏极分别接第２字线ＤＷＬ０、第２电容Cd2的第１电极和／BL0，Cd2的第２电极接第２极板DCP0。第２Qn关断后，DCP0的逻辑电压反转。由此，采用强电介质的半导体存储装置可进行存储电容初始化，而且功耗不集中，能高速读出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，放大器上连接第1位线和与第1位线配对的第2位线，第1MOS晶体管的栅极连接第1字线，该晶体管的源极连接第1强电介质电容的第1电极，该晶体管的漏极连接上述第1位线，上述第1强电介质电容的第2电极连接第1板极，其特征在于，第2MOS晶体管的栅极连接第2字线，该晶体管的源极连接第2强电介质电容的第1电极，该晶体管的漏极连接上述第2位线，上述第2强电介质电容的第2电极连接第2板极，而且上述第2MOS晶体管关断后，上述第2板极的逻辑电压反转。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/93112773.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：具有凸起区域的反光立体角制品及其制造方法
- 下一篇：杀虫和杀螨组合物
