[发明专利]聚二甲基硅氧烷嵌段共聚物的制备方法无效
| 申请号： | 93112841.2 | 申请日： | 1993-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN1036657C | 公开（公告）日： | 1997-12-10 |
| 发明（设计）人： | R·J·霍克斯梅尔 | 申请（专利权）人： | 国际壳牌研究有限公司 |
| 主分类号： | C08G77/442 | 分类号： | C08G77/442 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 侯天军 |
| 地址： | 荷兰*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 包括可阴离子聚合单体的第一聚合物嵌段和聚二甲基硅氧烷第二聚合物嵌段的嵌段共聚物的制备方法，可阴离子聚合单体选自单乙烯基芳烃、共轭二烯及其混合物，该方法包括下列步骤(a)在-10-60℃，将至少一种可阴离子聚合单体、有机碱金属引发剂、六甲基环三硅氧烷和极性促进剂合并为一反应混合物，从而使可阴离子聚合单体聚合；(b)使聚合反应进行至可阴离子聚合单体嵌段的阴离子聚合反应和随后的活性聚合物链与六甲基环三硅氧烷之间的跨接反应完全；(c)升高温度至60-120℃，从而使六甲基环三硅氧烷在步骤(a)中得到的活性聚合物嵌段的链端上进行聚合；和(d)终止聚合反应。 | ||
| 搜索关键词： | 聚二甲基硅氧烷 共聚物 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.包括可阴离子聚合单体的第一聚合物嵌段和聚二甲基硅氧烷第二聚合物嵌段的嵌段共聚物的制备方法，可阴离子聚合单体选自单乙烯基芳烃、共轭二烯及其混合物，该方法包括下列步骤：(a)在-10-60℃，将至少一种可阴离子聚合单体、有机碱金属引发剂、六甲基环三硅氧烷和极性促进剂合并为一反应混合物，从而使可阴离子聚合单体聚合；(b)使聚合反应进行至可阴离子聚合单体嵌段的阴离子聚合反应和随后的活性聚合物链与六甲基环三硅氧烷之间的跨接反应完全；(c)升高温度至60-120℃，从而使六甲基环三硅氧烷在步骤(a)中得到的活性聚合物嵌段的链端上进行聚合；和(d)终止聚合反应。
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