[发明专利]半导体器件的加速老化的检测系统和方法无效
| 申请号： | 93114427.2 | 申请日： | 1993-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN1046350C | 公开（公告）日： | 1999-11-10 |
| 发明（设计）人： | 约翰·Ａ·爱德蒙;道格拉斯·Ａ·阿司布利;卡温·Ｈ·卡特;道格拉斯·Ｇ·华尔兹 | 申请（专利权）人： | 克里研究公司 |
| 主分类号： | G01R31/36 | 分类号： | G01R31/36 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 陈申贤 |
| 地址： | 美国北*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种检测半导体器件的方法，包括在一段时间给半导体器件通以预定电平的电流脉冲之步骤，以使有缺陷器件老化，使无缺陷器件稳定，及在加电流脉冲后，测量半导体器件的预定电或光工作特性之步骤。一种检测片子上半导体器件的系统，具有接触探头，用于把电流脉冲施加到片子上的半导体器件上，与探头电连接的测量装置，用于测量片子上半导体器件的预定电或光工作特性，以及与测量装置电连接的光探测装置，用于探测由片子上半导体器件发出的辐射。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 加速 老化 检测 系统 方法 | ||
【主权项】：
1．一种检测半导体器件的方法，包括下列步骤：在少于15秒的时间内，对被测半导体器件通以预定的、高于其平均工作电平的电流脉冲，以使有缺陷的被测器件老化，无缺陷的被测器件稳定，以及在通过电流脉冲之后，测量半导体器件的预定电学或光学工作特性。
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