[发明专利]二维非线性光学超晶格光学双稳器件及其制法无效
| 申请号： | 93115082.5 | 申请日： | 1993-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN1139764A | 公开（公告）日： | 1997-01-08 |
| 发明（设计）人： | 闵乃本;徐斌;王振林 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | G02F3/02 | 分类号： | G02F3/02 |
| 代理公司： | 南京大学专利事务所 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210008 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种二维非线性光学超晶格双稳器件及其制法用具有较大克尔效应系数的晶体，内部刻有体光栅结构，其光栅常数为入。晶体可以在钽酸锂，磷酸二氢钾，铌酸锂，钛酸钡，钽酸钠以及掺铁、钴以上晶体中选择，还可以在ADP、钛酸锂等中选择，制造二维非线性光学超晶格双稳态器件的方法可用深层同步X光刻技术、离子束蚀刻等方法，对于具有光折变性质的晶体又可用常规体全息光栅写入法及热固定技术，本发明可用于光开关器件。 | ||
| 搜索关键词： | 二维 非线性 光学 晶格 器件 及其 制法 | ||
【主权项】：
1、一种二维非线性光学超晶格光学双稳器件，其特征是用具有较大克尔效应系数的晶体，内部刻有体光栅结构，其光栅常数为入，λ为入射光波长，晶体的克尔系数↓、折射率调制参数(M1、M2、M3、M4)光栅厚度l，波矢Kv(Kv为介质中的波矢)在下述范围：M1＝M2＝10-4，M3＝M4＝10-5，α＝10-4，Kv1＝10-4晶体可以在钽酸锂、磷酸二氢钾(KH2PO4)、铌酸锂、钛酸钡、铌酸钡钠以及掺铁、钴的以上晶体中选择，还可以在ADP、(NH4H2PO4)、LiTaO3。等单晶体中选择。
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