[发明专利]光生伏打电池无效
申请号: | 93116580.6 | 申请日: | 1993-07-28 |
公开(公告)号: | CN1032994C | 公开(公告)日: | 1996-10-09 |
发明(设计)人: | E·索勒;M·格列策尔;T·迈耶 | 申请(专利权)人: | 阿苏拉布股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/06 | 分类号: | H01L31/06;H01L31/0352 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 吴大建 |
地址: | 瑞士*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种光生伏打电池(1),包括具有支持面(4)的基片(2),支持面上有第一电极(6)和通过多个层(14、16;14、24、16)与第一电极隔离的第二电极(10),多个层中具有至少一个第一串导电材料层(14)在其界面处有激活结(J),所述激活(J)具有大于其投影面积的扩大的面积。 | ||
搜索关键词: | 光生伏打 电池 | ||
【主权项】:
1.光生伏打电池(1),其中包括:具有支持面(4)的基片(2),在支持面上配置第一电极(6)和通过多层(14、16;14、24、16)与第一电极(6)隔离的第二电极(10),多层中包括至少一个第一半导电材料层(14)并且在其界面处有一个激活结(J),所述激活结具有大于其投影面积的扩大的面积,其特征在于:所述第一电极(6)包括由导电材料形成的均匀层(18)和由导电胶体微粒(20)形成的多孔层,该层具有大于其投影面积的扩大的面积,在所述第一电极上依次相应地配置其它多层和所述第二电极,并且其特征还在于:所述第一半导电材料层的厚度小于或等于所述多孔层的孔(22)的一半宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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