[发明专利]半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 93118158.5 | 申请日： | 1993-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN1087446A | 公开（公告）日： | 1994-06-01 |
| 发明（设计）人： | 金守官 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/28;H01L21/324;H01L21/90;H01L21/314 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种包括硅化物氧化过程的半导体器件的制造方法，包括下列各步骤通过依次在半导体衬底上形成栅绝缘层、第1含硅导电层，和硅化物层而形成多硅化物结构；在氧和氯化氢气体的气氛中进行干法氧化，在整个所得结构的表面上形成氧化硅层。可获得没有结构缺陷的多硅化物结构的栅极连线或互连层，从而改进了半导体器件的可靠性和成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件的制造方法，包括下列各步骤：通过依次在半导体衬底上形成栅绝缘层、第1含硅导电层，和硅化物层而形成多硅化物结构；以及通过在氧和氯化氢气体的气氛中干法氧化，在所得结构的整个表面上形成氧化硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
