[发明专利]半导体器件的制造方法

摘要

一种半导体器件的制造方法，在表面用硅热氧化膜绝缘的半导体衬底（１）上，用溅射等形成具有规定布线图案的下层布线（２），用丝网印刷在该下层布线上形成作为连接电极的金属柱（３）将该金属柱埋入，再对该绝缘膜深腐蚀，使金属柱前端露出，并在绝缘膜上加与金属柱前端连接的布线（４），使两层布线电气连接。本发明在形成用于布线间连接的金属柱的同时，使绝缘膜平坦化，制造容易且过程少。

主权项

1．一种半导体器件的制造方法，具有①在由要安装多块半导体芯片的半导体衬底或者绝缘底板构成的电路底板上形成下层布线的过程；②形成覆盖所述布线的绝缘膜的过程；③在所述绝缘膜上形成上层布线的过程，其特征在于，还具有：④用具有对应于上述下层布线所希望位置的开口的丝网版将金属浆料作丝网印刷，对印上的浆料进行热处理的干燥和烧结，在上述电路底板上的包含上述下层布线的规定区域上形成金属柱的过程，并用所述金属柱连接所述下层布线和上层布线。