[发明专利]陶瓷制品的局部表面上釉方法以及实施该方法的装置无效
| 申请号： | 93121585.4 | 申请日： | 1993-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1043753C | 公开（公告）日： | 1999-06-23 |
| 发明（设计）人： | 丹尼尔Ｅ·默尼克 | 申请（专利权）人： | 勒脱吉尔州立大学 |
| 主分类号： | C04B41/80 | 分类号： | C04B41/80 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 张恒康 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种陶瓷制品表面，例如白色陶瓷的上釉表面在熔化工序中受到激光器所发射的红外线光束那样的辐射能作用，以使表面上的材料产生局部熔化。在熔化工序后，该表面，最好在围绕熔融区域的较大表面上或在低的能量密度下进一步由辐射能照射以限制熔融区域和周围邻接区域的冷却速率，从而防止热应力引起的开裂。熔融区域和其周围区域在熔化工序前立即用附加辐射能进行加热，因此进一步限制熔化工序时的热应力。本方法可用作修补釉彩缺陷及用作装饰。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷制品 局部 表面 上釉 方法 以及 实施 装置 | ||
【主权项】：
1．一种陶瓷制品的局部上釉方法，其特征在于，它包括如下步骤：通过把熔化辐射能施加到上釉位置周围的制品表面上的熔化区域(20)使所述上釉位置上的陶瓷材料熔化；然后，通过把退火辐射能施加到熔化区域周围的表面上的退火区域(22)，使所述熔化区域的所述制品表面退火，从而延缓所述熔化区域的冷却，并在该冷却过程中，把接近所述熔化区域的所述制品中产生的热应力限制为小于所述制品的所述表面上的陶瓷材料的断裂应力。
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