[发明专利]阴极组件及其制造方法无效
申请号: | 94101833.4 | 申请日: | 1994-03-17 |
公开(公告)号: | CN1044297C | 公开(公告)日: | 1999-07-21 |
发明(设计)人: | 原昭人;通口敏春;矢壁澈;神田重雄;山本荣治 | 申请(专利权)人: | 东芝株式会社 |
主分类号: | H01J1/20 | 分类号: | H01J1/20;H01J9/04 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 竹民 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种在构成电子发射阴极的阴极套管内表面上形成黑色膜的薄膜形成方法,在阴极套管15内充满膜材料的悬浊液25,同时或随后用多孔性吸收体26接触或接近该管的开口部,吸取多余的悬浊液,随后加热处理附着膜材料的阴极套管。所得厚度均匀的管内表面黑色膜23,系用平均粒径在0.5μm—2μm之间的钨与平均粒径在0.1μm—1μm之间的氧化铝以(90∶10)至(65∶35)范围内的钨对氧化铝重量比混合后,烧结而成。 | ||
搜索关键词: | 阴极 组件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种阴极组件,至少包括:有内表面的阴极套管(15);设于所述阴极套管(15)的端部,发射电子的电子发射部(13);配置于所述阴极套管(15)内侧加热电子发射部(13)用的加热灯丝(21);所述阴极套管(15)内表面上有由钨粉和氧化铝粉混合烧结而成的黑色膜(23);其特征在于,所述阴极套管(15)内表面上的黑色膜(23)是平均粒径在0.5μm以上、2μm以下范围内的钨与平均粒径在0.1μm以上且1μm不到范围内的氧化铝按照(90∶10)至(65∶35)范围内的钨对氧化铝重量比混合后的烧结层。
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