[发明专利]MIS半导体器件的制造方法

摘要

一种ＭＩＳ型半导体器件的制造方法，其特征在于在一个半导体衬底或半导体薄膜上选择地形成杂质区，而这些杂质区由从上面辐照的激光束或等效的强光辐照而激活，因而激光束或等效强光辐照在杂质区以及杂质区与邻接杂质区的激活区间的边界。从而改善该杂质区和边界的结晶性。

主权项

1.一种制造MIS(金属绝缘体半导体)半导体器件的方法包括：第一步骤，在半导体内有源区的附近形成包含从铝、钛、二硅化钽、钨、钼、氮化钽和氮化钛中选取的一种材料的第一布线，在所述第一布线与所述有源区之间设有一个绝缘膜；第二步骤，在所述第一布线的至少侧表面上形成氧化膜；第三步骤，在形成所述氧化膜后，用所述第一布线或实质上由所述第一布线限定的区域作为掩模，以自对准方式将杂质注入半导体中；第四步骤，在注入步骤之后，蚀刻所述氧化膜；第五步骤，通过对杂质区和有源区间形成的边界或相邻所述边界的一部分上照射辐照光，以改善在所述的半导体中注入了所述杂质的杂质区的结晶性，所述边界和所述邻接该边界的部分实质上透过所述的辐照光。