[发明专利]半导体器件无效

专利信息
申请号: 94102117.3 申请日: 1994-02-07
公开(公告)号: CN1059054C 公开(公告)日: 2000-11-29
发明(设计)人: 名仓英明;横沢真睹;椿和彦;吉村昌佑 申请(专利权)人: 松下电子工业株式会社
主分类号: H01L29/73 分类号: H01L29/73;H01L21/331
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 王以平
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种半导体器件,它在一个半导体衬底上包括一个由收集区、第一基区和第一发射区组成的输出晶体管和一个由收集区、第二基区和第二发射区组成的测温晶体管。输出晶体管位于半导体衬底收集区的中央。在输出晶体管的中央形成有一个未被占用区,测温晶体管就制作在这一未被占用区内。
搜索关键词: 半导体器件
【主权项】:
1、一种半导体器体,它包含:一个半导体衬底;形成在上述半导体衬底上并在其中央部分有一个未被占用区域的半导体输出晶体管;以及一个位于上述未被占用区域、用来探测上述半导体输出晶体管温度的测温元件。
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