[发明专利]带线圈保护环的薄膜传感器无效
| 申请号： | 94102676.0 | 申请日： | 1994-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN1107992A | 公开（公告）日： | 1995-09-06 |
| 发明（设计）人： | 林丰杰;朱生勃 | 申请（专利权）人： | 麦格耐克斯有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/31 | 分类号： | G11B5/31 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 竹民 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种薄膜传感器有一通过离子束蚀刻形成的顶磁极、底磁极和与磁极感应耦合的多匝线圈。该多匝线圈有一与其余线圈部分电气上断开的虚外环，因而，外部与线圈外侧部分的电连接连至内侧部分。在制造顶磁极过程中，离子束蚀刻对已做成的线圈的损伤发生在虚环上，而不发生在作电连接的内侧部分上。薄膜变压器配有同样的虚环结构。 | ||
| 搜索关键词： | 线圈 保护环 薄膜 传感器 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜感应装置，具有顶、底磁极和至少与一个所述磁极感应耦合的多匝线圈，所述线圈有一耦合至外部可触及引线的中央端和外端、一个外环和至少一个内环，其特征在于，所述外部可触及的引线之一耦合至所述内环，所述外环的一端与所述线圈断开。
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