[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 94103241.8 | 申请日： | 1994-02-15 |
| 公开（公告）号： | CN1052110C | 公开（公告）日： | 2000-05-03 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;竹村保彦;张宏勇;高山彻;鱼地秀贵 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,叶恺东 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 制造半导体装置例如薄膜晶体管的方法，它是在即低于非晶态硅的常规结晶温度，也低于衬底的玻璃转变点温度的一个温度中，对一个实质上非晶态硅膜进行退火以便使该硅膜结晶。镍、铁、钴、铂、硅化物、醋酸盐或硝酸盐的岛状，条状，线状或点状物，包含有各种盐的膜，包含了镍、铁、钴、和钯中至少一种的粒子或束状物可被用作为用于结晶的起动材料。在非晶态硅膜的上面或下面形成这些材料。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：在衬底上形成包括硅的半导体膜；配置一与所说半导体膜相接触的催化物，所说催化物能促进所说半导体膜的晶化；加热所说配备以所说催化物的半导体膜，以晶化所说半导体膜；以及在所说加热后，使该半导体膜在含氯气的气氛下退火，以除去在所说半导体膜中所含的至少一部分所催化物，其中所说催化物包括选自由镍、铁、钴、铂和钯组成的组合中的一种金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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