[发明专利]用于荫罩的合金薄板无效
申请号: | 94103320.1 | 申请日: | 1994-03-18 |
公开(公告)号: | CN1035890C | 公开(公告)日: | 1997-09-17 |
发明(设计)人: | 井上正;鹤清;日朝道人;山内克久 | 申请(专利权)人: | 日本钢管株式会社 |
主分类号: | C22C38/08 | 分类号: | C22C38/08;C22C38/10;C22C38/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 全菁 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 一种用于制造荫罩的合金薄板,该合金薄板基本上由以下元素组成Ni34~38%(重量)、Si0.07%(重量)或更低、B0.001%(重量)或更低、O0.003%(重量)或更低、N0.002%(重量)或更低、其余是Fe和不可避免的杂质。所述合金薄板具有10.5~15.0μm的平均奥氏体晶粒度(Dav)、1~15的奥氏体晶粒的最大粒度与最小粒度之比(Dmax/Dmin)、165~220的维氏硬度(Hv),并满足关系式10×Dav+80≥Hv≥10×Dav+50;和在所述合金薄板在其表面上的各晶面聚集度为规定值。 | ||
搜索关键词: | 用于 合金 薄板 | ||
【主权项】:
1.一种用于制造荫罩的合金薄板,该合金薄板由以下元素组成;Ni34~38%(重量)、Si0.07%(重量)或更低、B0.001%(重量)或更低、O0.003%(重量)或更低、N0.002%(重量)或更低,其余是Fe和不可避免的杂质;所述冲压成型前退火前的合金薄板具有10.5~15.0μm的平均奥氏体晶粒度(Dav),奥氏体晶粒的最大粒度与最小粒度之比(Dmax/Dmin)为1~15,维氏硬度(Hv)为165~220,并满足以下关系式;10×Dav+80≥Hv≥10×Dav+50;和所述合金薄板在其表面上具有以下各晶面聚集度;{111}晶面聚集度为14%或更低,{100}晶面聚集度为5~75%,{110}晶面聚集度为5~40%,{311}晶面聚集度为20%或更低,{331}晶面聚集度为20%或更低,{210}晶面聚集度为20%或更低,和{211}晶面聚集度为20%或更低。
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