[发明专利]含金刚石膜的SOI集成电路芯片材料及其制作工艺无效
| 申请号： | 94103623.5 | 申请日： | 1994-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN1041119C | 公开（公告）日： | 1998-12-09 |
| 发明（设计）人： | 顾长志;金曾孙;吕宪义;邹广田 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 吉林大学专利事务所 | 代理人： | 王恩远 |
| 地址： | 130023 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明是含金刚石膜的ＳＯＩ集成电路芯片材料及制作工艺。其结构按顺序为单晶硅薄层（３）、SiO2过渡层（５）、金刚石膜（２）、多晶硅（４）。其工艺是在单晶硅片上逐层生长SiO2过渡层、金刚石膜和多晶硅，再对单晶硅片进行减薄处理。生长金刚石膜是以丙酮为原料气体，减薄是机械抛光后使用离子束溅射技术。本发明不经高温区熔，工艺简单，可防止氧及杂质渗入，单晶硅薄层质量好；制作的集成电路具有抗辐射能力强、漏电小、性能稳定、界面态密度低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 金刚石 soi 集成电路 芯片 材料 及其 制作 工艺 | ||
【主权项】：
1、一种含金刚石膜的SOI集成电路芯片材料的制备工艺，将单晶硅片经常规处理，生长其它材料的薄层，通过反外延减薄技术，将单晶硅片减薄成单晶硅薄层(3)；在制备的SOI结构中间还生长有金刚石膜(2)，其特征在于：①在常规处理后的单晶硅片上生长SiO2过渡层(5)，再在SiO2过渡层(5)上生长金刚石膜(2)；②所说的生长金刚石膜(2)是以丙酮为碳源气体，采用热丝CVD法生长出来的，并使金刚石膜(2)的面积小于单晶硅片面积，即在SiO2过渡层(5)表面的周边没有生长上金刚石膜(2)；③在金刚石膜(2)上生长多晶硅(4)；④所说的对单晶硅片进行减薄处理是用机械抛光方法，再用离子束溅射方法实现的。
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