[发明专利]粒状多层磁致电阻器件的制造方法无效
| 申请号： | 94103796.7 | 申请日： | 1994-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN1062670C | 公开（公告）日： | 2001-02-28 |
| 发明（设计）人： | 科温·Ｒ·高芬;詹姆斯·Ｋ·哈沃德;托德·Ｌ·海勒特;米查尔·Ａ·帕克 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 马浩 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种制造粒状多层磁致电阻传感器的方法，其特征在于包括下列步骤在适当的基片上沉积多个双层材料，每个双层材料包括第一层非磁性导电材料和第二层铁磁性材料；以及在预定的温度下对所得多层器件退火，在所述退火期间每个所述第二铁磁性材料分裂成多个铁磁性颗粒，所述第一层中的所述非磁性材料流进所述铁磁性颗粒之间和周围。$#! | ||
| 搜索关键词： | 粒状 多层 致电 器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1．一种制造粒状多层磁致电阻器件的方法，其特征在于，它包括下列步骤：在适当的基片上沉积多个双层材料，每个所述双层材料包括第一层非磁性导电材料和第二层铁磁性材料；以及在预定的温度下对所得多层器件退火，在所述退火期间每个所述第二层铁磁性材料分裂成多个铁磁性颗粒，所述第一层中的所述非磁性导电材料流进所述铁磁性颗粒之间和周围。
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