[发明专利]半导体集成电路、半导体器件、晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 94104092.5 | 申请日： | 1994-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN1098818A | 公开（公告）日： | 1995-02-15 |
| 发明（设计）人： | 张宏勇;竹村保彦;大沼英人;须泽英臣;鱼地秀贵 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/784;H01L27/02;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良,肖掬昌 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管及其制造方法，包括以掺杂用掩模和栅电极为掩模，以自对准方法，把杂质掺入其表面有绝缘涂层的半导体区，在用掺杂用掩模腐蚀表面绝缘层后，以强光照射所得表面。把碳氮氧组中的至少一种元素注入岛状半导体区的边缘，其浓度高于半导体区的平均浓度，以增大电阻并减少源漏间的漏电流。其中，控制薄膜半导体区的边缘部分使其成为本征的，或与沟道形成区导电类型相同，防止这部分中栅绝缘膜击穿。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 半导体器件 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造晶体管的方法，包括：形成岛状半导体区；在所述半导体区上形成绝缘涂层；形成跨接所述半导体区的栅部件；提供至少露出所述栅部件和所述半导体区的掩模；利用所述的掩模把杂质掺入所述的半导体区；利用所述的掩模，选择地除去所述的绝缘涂层；用光辐照所述的半导体区；
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
