[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 94104267.7 | 申请日： | 1994-03-12 |
| 公开（公告）号： | CN1092844C | 公开（公告）日： | 2002-10-16 |
| 发明（设计）人： | 张宏勇;高山彻;竹村保彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/768 | 分类号： | H01L29/768 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 肖掬昌,王忠忠 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的制造半导体器件的方法由形成非晶硅膜着手，然后，如此形成含至少一种金属元素的第二层，以便与非晶硅膜紧密连接，或将金属元素掺入非晶硅膜中，用激光或其他强度等于激光的光对该非晶硅膜作选择性照射，再使该非晶硅膜晶化。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在一衬底上形成非晶硅膜；在上述非晶硅膜上形成含至少一种金属元素的膜，以促进该非晶硅膜的晶化；用激光或强度等于激光的光选择性地只照射所述非晶硅膜的一部分，以使该非晶硅膜的这部分晶化；和通过加热使所述非晶硅膜退火从而使该非晶硅膜晶化。
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