[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 94104615.X | 申请日： | 1994-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN1053994C | 公开（公告）日： | 2000-06-28 |
| 发明（设计）人： | 上田聪;上田哲也;山野敦浩;失野航作 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L21/318 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在一半导体衬底上并排形成多条金属互连线，并有一层间绝缘膜介于该金属互连线与半导体衬底之间，该金属互连线上覆盖着由一层下氧化硅膜和一层上氮化硅膜构成的钝化膜。该氧化硅膜是这样淀积的，使得在金属互连线侧面的那部分氧化硅膜的厚度小于两金属互连线间的最小间距的一半。该氮化硅膜是这样淀积的，使其介于相邻两金属互连线侧面的氧化硅膜部分之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件包括：多条并排形成于半导体衬底之上、具有高度H的金属互连线，所述金属互连线之间互相间隔为S；一层形成于所述半导体衬底上的氧化硅膜，以便覆盖所述金属互连线；以及一层形成于所述氧化硅膜上的氮化硅膜；所述氧化硅膜和氮化硅膜构成一厚度为T的钝化膜，其特征在于：所述钝化膜的厚度T、所述金属互连线的高度H以及两金属互连线间的最小间距S之间的关系满足：T＜(H2+S2/2)1/2。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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