[发明专利]纳米级超微传感器及其制作方法无效
| 申请号： | 94104755.5 | 申请日： | 1994-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN1040043C | 公开（公告）日： | 1998-09-30 |
| 发明（设计）人： | 张学记;周性尧;张悟铭 | 申请（专利权）人： | 武汉大学 |
| 主分类号： | G01N27/30 | 分类号： | G01N27/30 |
| 代理公司： | 武汉大学专利事务所 | 代理人： | 余鼎章 |
| 地址： | 43007*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种纳米级超微传感器及其制作方法。本发明采用了离子束刻蚀技术，制得的电极尺寸的最小直径可达３０ｎｍ。和已有的制备技术相比，用本法制备的纳米电极具有尺寸可控。由于采用离子束将电极表面的原子一个个打掉，电极的表面干净、光滑，具有分子级的平整度；电极机械强度高，可用于单个细胞内的测试。提出用电聚合绝缘化方法，制得了纳米级盘电极。电极的电化学性能优良。提出在真空情况下封合支撑体与电极材料的方法，避免了电极的污染。首次在纳米电极上进行化学修饰，制备成功了纳米级超微ｐＨ传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 级超微 传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种纳米级超微传感器，其特征在于：它包括如下部分：(a)纳米级超微柱电极，(b)纳米级超微盘电极，(c)经表面修饰成为纳米级超微传感器。
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