[发明专利]晶格缺陷金属与贮氢合金的复合材料及其制备和用途无效

专利信息
申请号: 94107285.1 申请日: 1994-06-28
公开(公告)号: CN1045845C 公开(公告)日: 1999-10-20
发明(设计)人: 宏存茂;张玉芬;吴锋 申请(专利权)人: 北京大学;国家高技术新型储能材料工程开发中心
主分类号: H01M4/38 分类号: H01M4/38;H01M4/26;H01M10/24
代理公司: 北京大学专利事务所 代理人: 周政
地址: 10087*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种晶格缺陷金属与贮氢合金的复合材料,简写为M-ABα。ABα为主体,M为副体,二者共生在一起,M在其中的重量比为ABα的2—10%。M代表金属或合金;A、B各代表2—3种金属,α值为5.0—6.2。该复合材料可用几种方法制得,工艺简单。用此材料制作金属氢化物/镍电池的负极,电池的充放电可逆性好、寿命长、易于活化、动力学性能优异、贮氢量的电化学利用率高、生产工艺简便、成本低。
搜索关键词: 晶格 缺陷 金属 合金 复合材料 及其 制备 用途
【主权项】:
1、一种贮氢合金的复合材料,其特征在于,所述的贮氢合金的复合材料为晶格缺陷金属与贮氢合金的复合材料,由主体和副体组成,主副体共生在一起,即副体嵌接在主体粉粒的表面上:主体为ABα型多元合金,该合金为贮氢的主要组分,1)其中的A选自下列金属或它们的合金,包括:La,Ce,Nd,Zr,Ti,富La混合稀土(Ml)或富Ce混合稀土(Mm),A或者是二或三种所述金属的合金;2)其中的B至少包含下列元素中的两种:Mg,V,Cr,Mn,Co,Ni,Cu,Al或Si;3)α值在5.0-6.2范围内;副体为高度晶格缺陷的金属M,包括Mg,Ca,V,Cr,Ni,Al,Cu或Si元素或它们的合金,该类金属或合金在所述的复合材料中,所占的重量比为2-10%,其晶格原子缺陷率达20-50%。
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