[发明专利]制造芯片隆起部的方法无效
| 申请号： | 94107870.1 | 申请日： | 1994-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN1102504A | 公开（公告）日： | 1995-05-10 |
| 发明（设计）人： | 朴钟汉;朴春根;河善镐 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/60;H01L23/48;H01L21/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种制造芯片金属隆起部的方法，包括以下步骤在形成焊接区的衬底上形成阻挡层金属层；在阻挡层金属层上形成光致抗蚀剂层以及在焊接区处开窗口；通过对窗口区电镀形成芯片隆起部；用该隆起部作为掩模选择性地去除光致抗蚀剂层；用残留的光致抗蚀剂层作为掩模腐蚀阻挡层金属层的预定区域；以及通过去除残留的光致抗蚀剂层在该焊接区上形成芯片隆起部，从而得到高质量的芯片隆起部并在降低生产成本的同时简化制造工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 芯片 隆起 方法 | ||
【主权项】：
1、一种在半导体芯片的焊接区上制造用于直接固定引线的金属的芯片隆起部的方法，该方法包括以下步骤：在形成所述焊接区的衬底上形成阻挡层金属层；在所述阻挡层金属层上形成光致抗蚀剂层，并在焊接区处开窗口；通过电镀该窗口区而形成芯片隆起部；用所述隆起部作为掩模选择性地去除所述光致抗蚀剂层；用残留的光致抗蚀剂层作为掩模腐蚀所述阻挡层金属层的预定区域；以及通过去除所述残留的光致抗蚀剂层而在所述焊接区上形成芯片隆起部。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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