[发明专利]下降法生长大尺寸碘化铯(CsI)晶体新技术无效
| 申请号： | 94112210.7 | 申请日： | 1994-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN1046004C | 公开（公告）日： | 1999-10-27 |
| 发明（设计）人： | 沈定中;殷之文;袁湘龙;张黎星;李培俊;邓群 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B15/00 | 分类号： | C30B15/00;C30B29/12 |
| 代理公司： | 上海华东专利事务所 | 代理人： | 潘振苏 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明关于坩埚下降法生长优质碘化铯晶体，属于晶体生长领域。用通常石英坩埚下降法生长大尺寸ＣｓＩ晶体的主要问题是石英坩埚容易开裂，晶体应力大，多晶严重，容易开裂，性能也差。本发明的核心是减少大尺寸晶体应力及定向生长，主要技术包括正确选用铂坩埚，选好晶体生长方向及包种接种技术，有一整套减少生长缺陷和Ｉ－空位的措施。完整的工业化生长大尺寸ＣｓＩ晶体的工艺技术。按本发明生长出来的大尺寸纯ＣｓＩ晶体能量分辨率与光产额高。 | ||
| 搜索关键词： | 下降 生长 尺寸 碘化 csi 晶体 新技术 | ||
【主权项】：
1．一种下降法生长碘化铯晶体的技术，包括：(1)原料处理A采用纯度为99.99％的CsI原料；B原料在～80℃脱OH-；(2)生长炉A生长炉内外均处于大气气氛中；B发热体使用硅碳棒；C炉子下底部设有辅助加热器；其特征在于：(1)使用铂坩埚A有底单层或双层铂坩埚，形状为光底或长方形或平底，坩埚壁厚0.12-0.20mm，形状与生长晶体的形状有关；B使用时坩埚处于密封状态；(2)晶体生长A生长条件：熔料：660-700℃温度梯度：～30℃生长速率：1.5-3.5mm/小时降温速率：～20℃/小时B坩埚内以含碘气体(HI、CI4)作生长气氛；C采用有籽晶生长与无籽晶生长二种方法。
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