[发明专利]一种制造半导体器件的方法

摘要

一种具有结晶半导体层的半导体器件制造方法，包括在相对低的温度下加热使非晶硅半导体层晶化的各步骤，这是由于使用促进晶化材料，诸如Ｎｉ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐ、Ａｓ和Ｓｂ。该促进晶化的材料是由把它混入用来形成氧化硅的液体前体物内，并且将此先驱物涂在非晶硅膜上而导入的。于是，就可以将促晶化材料以最低浓度加入到非晶硅膜里。

主权项

1.一种在衬底上制造半导体器件的方法，包括下列各步骤：配置与包括硅的半导体层接触的一种形成氧化硅的前体材料，其中该前体材料包括能促进所述半导体层晶化的金属或金属化合物；预烘该衬底以形成包括由前体材料形成的氧化硅的膜，该膜的厚度为200-1300；和在450℃或更高的温度下，加热所述的半导体层，以便晶化所述的半导体层；所述金属选自Pd、Pt、Cu、Ag、Au、In、Sn、Pb、P、As、Sb和Ni；和所述金属化合物选自镍化合物、铁盐、钴盐、钌盐、铑盐、锇盐、铱盐、铂盐、铜化合物和金化合物。