[发明专利]多层穿心式电容器阵列无效
| 申请号： | 94112798.2 | 申请日： | 1994-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN1062377C | 公开（公告）日： | 2001-02-21 |
| 发明（设计）人： | 藤城义和;原田拓;石垣高哉 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/30 | 分类号： | H01G4/30 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 叶恺东,萧掬昌 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 为了使多层穿心式电容器阵列的各穿心式电容器单元间的电容性耦合的交调失真减小，在构成多层穿心式电容器阵列的各电极间的介质薄片没有中心导体的位置上，形成填充导体的通孔，通过使在通孔中填充的导体作电连接，进行穿心式电容器间静电屏蔽，电连接是依靠在穿心式电容器单元的外部或内部形成的导电层实现。$#! | ||
| 搜索关键词： | 多层 穿心式 电容器 阵列 | ||
【主权项】：
1．一种由多个穿心式电容器构成的长方体形的多层穿心式电容器阵列，具有：顺次叠合的长方形第一介质薄片(31)、第二介质薄片(32)、第三介质薄片(33)及第四介质薄片(34)；在第一介质薄片(31)上形成的由沿长方形的长边方向伸展、只与二短边相接的导电性材料构成的单个第一内电极(35)；在第2介质薄片(32)上形成的由沿长方形的短边方向伸展、只与二长边相接的导电性材料构成的多个第二内电极(36)；在第三介质薄片上形成的由沿长方形的长边方向伸展、只与二短边相接的导电性材料构成的单个第三内电极(37)；把前述第二内电极(36)作为中心导体、把前述第一内电极(35)及前述第三内电极(37)作为外侧导体的多个穿心式电容器，其特征在于：在前述第二介质薄片(32)的前述多个第2内电极(36)之间，形成有与第2内电极(36)平行的多个第二通孔(39)；在相应于前述第一介质薄片(31)的前述多个第二通孔(39)的位置上，形成有多个第一通孔(38)；在相应的前述第三介质薄片(33)前述多个第二通孔(39)的位置上，形成有多个第三通孔(40)；在前述多个第一通孔(38)中，分别填充有第一导电体(42)；在前述多个第二通孔(39)中，分别填充有第二导电体(43)；在前述多个第三通孔(40)中，分别填充有第三导电体(44)；前述第一内电极(35)和前述多个第一导电体(42)电连接；前述第三内电极(37)和前述多个第三导电体(44)电连接；通过使各相应位置的前述多个第一导电体(42)、前述多个第二导电体(43)、及前述多个第三导电体(44)电连接，而形成的多个导电体(46)。
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