[发明专利]半导体器件

摘要

在一半导体集成电路中，在具有绝缘表面的同一基片上形成多个薄膜晶体管（ＴＦＴ）。由于形成在ＴＦＴ中的栅极相互电绝缘，所以阳极氧化期间在电解液中独立地向栅极施加电压，至少在每个栅极的两侧形成阳极氧化层。根据ＴＦＴ的特性改变阳极氧化厚度。利用具有所期望厚度的阳极氧化层作为掩模，通过离子掺杂改变在每个ＴＦＴ的有源层中形成的高阻区宽度。

主权项

1.一种形成在衬底上的半导体器件，包括在有源矩阵电路中形成的至少一个第一薄膜晶体管和在驱动有源矩阵电路的驱动电路中形成的至少两个第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管具有第一阳极氧化层和第一偏置区，每个第二薄膜晶体管具有第二阳极氧化层和第二偏置区，其中第一阳极氧化层的厚度与第二阳极氧化层的厚度相一致。