[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 94113869.0 | 申请日： | 1994-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN1052575C | 公开（公告）日： | 2000-05-17 |
| 发明（设计）人： | 竹村保彦;寺本聪 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/772 | 分类号： | H01L29/772;G02F1/133;H01L27/01 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 萧掬昌,王岳 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的薄膜晶体管具有形成在绝缘表面上的至少包括源、漏和沟道区的有源层。在沟道与源区之间及在沟道与漏区之间都形成高阻区。至少在高阻区设置能俘获正电荷的膜，以便在高阻区诱发Ｎ型导电。所以可改善Ｎ沟型ＴＦＴ对热电子的可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：形成一个至少包括在一个绝缘表面上的源区、漏区和沟道区的有源半导体层；在所述有源半导体层上形成绝缘膜；在所述绝缘膜上形成栅极；使所述栅极在电解液中经受阳极化处理，以在所述栅极的至少一个侧面上形成所述栅极的氧化物；用所述氧化物作为掩模腐蚀所述绝缘膜的至少一部分，从而形成栅极绝缘膜；去除在所述栅极的所述侧面上所形成的所述氧化物，使所述栅极绝缘膜的一部分裸露出来；然后在所述栅极和所述栅极膜的所述裸露部分上形成能俘获正离子的膜。
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