[发明专利]测试静态RAM的方法和装置无效
| 申请号： | 94115625.7 | 申请日： | 1994-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN1042178C | 公开（公告）日： | 1999-02-17 |
| 发明（设计）人： | 劳润思Ｎ·赫尔;约翰Ｄ·波特;玛丽·安·库尼斯 | 申请（专利权）人： | 摩托罗拉公司 |
| 主分类号： | G11C29/00 | 分类号： | G11C29/00 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 姜华 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 用于测试静态ＲＡＭ的一种方法和装置，包括一个字线电压控制电路（４２）和一个阵列电源电压控制电路（４６）。根据从一个测试器接收到的一个第一控制信号，字线电压控制电路（４２）用于给存储器阵列（３１）的每个字线提供字线电压。所述阵列电源电压控制电路（４６）根据从所述测试器接收的一个第二控制信号，给阵列（３１）提供一个电源电压。在存储器（３０）的测试过程中，阵列电源电压和字线电压独立于所述存储器的电源电压ＶDD来被提供。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 静态 ram 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.在一个有一个静态随机存取存储单元阵列的存储器中，每个存储单元被耦合到一个比特线对和一个字线上，所述字线用于传导字线电压以访问耦合到该字线上的存储单元，每个存储单元耦合到一个电源电压端上，一种用于测试所述阵列以检测有缺陷的存储单元的方法，包括以下步骤：提供一个第一电源电压到所述电源电压端上；其特征在于还包括以下步骤：将具有第一逻辑状态的一个数据比特写入到一个存储单元中；提供一个第二电源电压到所述电源电压端上，该第二电源电压具有比所述第一电源电压更低的电势；在该存储器阵列正被施加所述第二电源电压的同时，将具有第二逻辑状态的一个数据比特写入到该存储单元之中；提供所述字线电压到所述字线上，该字线电压具有比所述第一电源电压更低的电势；以及检测该数据比特的逻辑状态是否已经变成与所述第二逻辑状态不同的一种逻辑状态。
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