[发明专利]CMOS技术中集成电路极性颠倒的保护装置无效
| 申请号： | 94117031.4 | 申请日： | 1994-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN1043388C | 公开（公告）日： | 1999-05-12 |
| 发明（设计）人： | 卢瑟·布劳斯非尔德 | 申请（专利权）人： | 德国ITT工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62;H01L27/092 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杨晓光 |
| 地址： | 联邦德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于ＣＭＯＳ器件的极性颠倒保护装置，包括一导电类型的衬底，在衬底的主表面上的另一导电类型的阱区，在阱区上形成的衬底导电类型的源极区和漏极区，其中，通过一低电阻，源极区与正电源电压相连，要被保护的电路的输入端位于漏极区，通过一电阻，阱区与电源相连，该电阻具有这样的数值，使得极性颠倒时，阱区电流被限制在一个最小值。从而在常规ＭＯＳ技术中，不需附加技术，就能完成极性颠倒的保护。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 技术 集成电路 极性 颠倒 保护装置 | ||
【主权项】：
1．用于CMOS器件的一个极性颠倒保护装置，包括：一导电类型的衬底(1)；在衬底的一个主要表面中形成的另一导电类型的阱区(2)；在阱区(2)形成的，衬底导电类型的一个源极区(5)和一个漏极区(3)，其特征在于：通过一个低电阻，源极区(5)与正电源电压(VDD)相连，要被保护的电路的输入端位于漏极区(3)，通过一个电阻(R)，阱区(2)与电源(VDD)相连，该电阻(R)具有这样的数值，使得极性颠倒时，阱区电流被限制在一个最小值。
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