[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

在薄膜晶体管的栅电极上形成掩模，以较低电压在栅电极两侧形成多孔阳极氧化膜。以较高电压在栅电极和多孔阳极氧化层之间和栅电极上面形成阻挡阳极氧化层，并用它作为掩模腐蚀栅绝缘膜。腐蚀阻挡阳极氧化层后，选择地腐蚀多孔阳极氧化层，以获得其上有栅绝缘膜的有源层区和其上无栅绝缘膜的其它有源层区。至少把氧、氮、碳中的一种元素掺入到浓度比其它有源层区的高的有源层区域Ｐ型杂质掺入到有源层中。

主权项

1.一种薄膜晶体管，包括：在绝缘表面上形成半导体膜；在所述半导体膜里形成沟道区；在所述半导体膜里形成源和漏区，并使其包含一种导电类型的杂质；在所述半导体膜上形成栅绝缘膜；以及在所述栅绝缘膜上形成栅电极；其特征在于，在所述沟道区及源和漏区之间的所述半导体膜里形成含有与所述源和漏区所含相同杂质的高电阻区，所述高电阻区具有比所述源和漏区的电阻值高；其中所述绝缘层的所边缘与所述高电阻区及所述源和漏区之间的边缘对齐。