[发明专利]半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 94118217.7 | 申请日： | 1994-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN1042986C | 公开（公告）日： | 1999-04-14 |
| 发明（设计）人： | 若林猛 | 申请（专利权）人： | 卡西欧计算机公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蹇炜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件，具有连接电极，并有由有机材料形成的保护膜，保护着连接电极。在保护膜内形成窗口，露出连接电极。用氩基干腐蚀法腐蚀自然氧化层。在干腐蚀工艺中使保护膜的表层改性，以降低绝缘性。后来在连接电极上形成突出电极之后，用氧基干腐蚀去掉保护膜的改性表层。因未在保护膜上留下改性表层，则不存在诸如绝缘不充分之类的不利影响。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：在半导体基片的一个表面上设置连接电极；形成具有在所说的基片的一个表面上形成的窗口的有机膜，所说的连接电极的至少一部分表面通过所说的窗口露出；腐蚀所说的连接电极露出的表层；淀积与所说的连接电极相连接的突出电极；以及腐蚀所说的有机膜的表层；
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
