[发明专利]相位延迟装置无效

专利信息
申请号: 94118985.6 申请日: 1994-11-29
公开(公告)号: CN1059994C 公开(公告)日: 2000-12-27
发明(设计)人: 邓永佳 申请(专利权)人: 联华电子股份有限公司
主分类号: H03K5/00 分类号: H03K5/00;H03K7/08
代理公司: 柳沈知识产权律师事务所 代理人: 马莹
地址: 台湾省新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 一种相位延迟装置,包括一数字模拟转换器,用以将输入信号转换成模拟信号;一锯齿波产生器,用以将参考脉冲转换成一固定周期的锯齿波;以及一模拟比较器,用以比较数字模拟转换器输出的模拟信号与锯齿波产生器输出的锯齿波,因此,根据比较动作即可决定不同宽度的脉冲,且此脉冲与参考脉冲的周期是一致的。
搜索关键词: 相位 延迟 装置
【主权项】:
1.一种用于相位调制的相位延迟装置,包括:一个数字模拟转换器(10),用于将一输入信号(input)转换成一个模拟电压信号并输出;一个锯齿波产生器(20),用于将输入的参考脉冲(ref-time)转换成固定周期的锯齿波;一个模拟比较器(30),其一个输入端连接所述锯齿波产生器(20)的输出端,另一个输入端连接所述数字模拟转换器(10)的输出端,用于将所述锯齿波产生器(20)输出的锯齿波与所述数字模拟转换器(10)输出的模拟电压信号相比较,以产生不同宽度的脉冲信号;其特征在于,所述锯齿波产生器(20)包括:用于产生一个参考电流(Iref)的参考电路(L1),它包含:第一P型场效应晶体管(PMOS1),其栅极(G1)与漏极(D1)相连接,用于产生固定电压,进而产生稳定的参考电流(Iref);以及,参考电阻(Rref),其一端接地,另一端连接第一P型场效应晶体管(PMOS1)的漏极(D1);第二P型场效应晶体管(PMOS2),其栅极(G2)与参考电路(L1)中的第一P型场效应晶体管(PMOS1)的栅极(G1)连接,用于产生电流镜像,使其源极(D2)电流与参考电流(Iref)相同;电容(C),其一端接地,另一端连接在充电开关(B1)的输出端和放电开关(B2)的输入端之间,用于对参考电流(Iref)作充放电;充电开关(B1),其输入端连接第二P型场效应晶体管(PMOS2)的漏极(D2),其控制端接收参考脉冲(ref-time),用于使参考电流(Iref)对电容(C)充电,并使锯齿玻电位向右递增;以及放电开关(B2),其输出端接地,其控制端连接反相器(I1)的输出端以接收被反相器(I1)反相的参考脉冲(ref-time),用于使电容(C)放电,并使锯齿波电位在固定周期内迅速下降。
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