[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 94119378.0 | 申请日： | 1994-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN1052572C | 公开（公告）日： | 2000-05-17 |
| 发明（设计）人： | 大谷久;宫永昭治;张宏勇;山口直明;铃木敦则 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所;夏普公司 |
| 主分类号： | H01L21/208 | 分类号： | H01L21/208;H01L21/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 谭明胜,杨丽琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 制造一种具有晶态硅层作为有源层的薄膜晶体管的方法，包括下述步骤安排含促进硅结晶化的催化剂与非晶硅膜相接触，在较低温度使非晶硅结晶化以及然后用激光辐照硅膜改善其结晶性。通过控制催化剂在溶液中的浓度，可控制催化剂在结晶化后的硅膜中的浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：在衬底的绝缘表面上形成非晶硅膜；安排一种促进硅结晶化的催化剂元素或含所说催化剂元素的化合物与该非晶硅膜相接触；在所说催化剂元素或所说化合物与所说的硅膜保持接触的情况下，通过在400-600℃的温度加热使所说的非晶硅膜结晶化；以及然后通过用功率密度为150-400J/cm2的激光或包括至少红外波长区的灯光辐照所说的硅膜，改善所说硅膜的结晶性。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所;夏普公司，未经株式会社半导体能源研究所;夏普公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/94119378.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
